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STU8N65M5 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 13:08:07 查看 閱讀�17

STU8N65M5是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件屬于MDmesh? M5技�(shù)系列,具有高電壓和低�(dǎo)通電阻的特點,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電機驅(qū)動等�(yīng)�。STU8N65M5采用TO-220封裝形式,能夠承受高�(dá)650V的漏源極電壓,并具備出色的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

漏源極電壓(Vds):650V
  連續(xù)漏極電流(Id):8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):最�3.6Ω(在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg):45nC
  輸入電容(Ciss):2300pF
  輸出電容(Coss):79pF
  開關(guān)速度:快速恢�(fù)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

STU8N65M5采用先進的MDmesh?技�(shù),具備以下顯著特點:
  1. 高擊穿電壓(650V),適合高壓�(yīng)用環(huán)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  3. 快速開�(guān)能力,能夠有效降低開�(guān)損耗�
  4. 較低的柵極電荷(Qg)和輸出電容(Coss�,提升了整體系統(tǒng)性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. TO-220封裝提供良好的散熱性能,支持高功率�(yīng)��
  這些特性使得STU8N65M5成為高壓開關(guān)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

STU8N65M5廣泛�(yīng)用于需要高效率和高可靠性的電力電子�(lǐng)�,具體包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計中的主開關(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于工�(yè)�(shè)備或通信基礎(chǔ)�(shè)施�
  3. 太陽能逆變器及不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  4. 電機�(qū)動電路,如家用電�、電動車窗或電動工具�
  5. PFC(功率因�(shù)校正)電路中的關(guān)鍵組件�
  由于其卓越的性能表現(xiàn),STU8N65M5能夠在多種復(fù)雜環(huán)境下�(wěn)定運行,滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對效率和可靠性的�(yán)格要��

替代型號

STP8NK65M5
  IRFP460
  FQA8N65C
  IXFN80N65T
  STW8NK65M5

stu8n65m5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stu8n65m5參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STU8N65M5 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列MDmesh™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫歐 @ 3.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds690pF @ 100V
  • 功率 - 最�70W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 長引�,IPak,TO-251AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-11365-5