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STS4NF100 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 3:16:20 查看 閱讀�8

STS4NF100 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類�(kāi)�(guān)電路�。其封裝形式為TO-220,適合需要高效能和良好散熱性能的應(yīng)用場(chǎng)��
  這款MOSFET的主要特�(diǎn)是出色的電流處理能力與較低的�(dǎo)通損�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�5A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):90mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:75W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

STS4NF100具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并�(shí)�(xiàn)高頻�(yīng)��
  3. 高雪崩擊穿能量耐受�,確保在異常條件下也能穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)范要求�
  5. 良好的熱�(wěn)定�,支持高溫環(huán)境下的可靠操作�
  6. 封裝牢固耐用,便于安裝和集成到各種電路設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

該型�(hào)的MOSFET適用于多種領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓功能�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或保�(hù)電路�
  4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路,例如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換和功率放大�
  6. 其他需要高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,如LED�(qū)�(dòng)和太�(yáng)能逆變器等�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FQP50N06L

sts4nf100推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sts4nf100資料 更多>

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  • STS4NF100
  • N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8...
  • STMICROELECTR...
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sts4nf100參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STS4NF100 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-8043-6