時間：2025/5/30 16:10:29
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STP8N80K5是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。該器件主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等需要高效功率管理的場景中。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻特性使得它在高壓電路中表現(xiàn)出色，同時具備良好的開關(guān)性能。
最大漏源電壓：800V
連續(xù)漏極電流：8A
導(dǎo)通電阻：1.4Ω（典型值，@VGS=10V）
柵極電荷：39nC（典型值）
輸入電容：1160pF（典型值）
總功耗：10W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
STP8N80K5是一款高壓MOSFET，具有以下特點：
1. 高耐壓能力，最高可達800V，適合用于各種高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻，在Vgs為10V時僅為1.4Ω，能夠減少導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能，較低的柵極電荷和輸出電容使器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
4. 穩(wěn)定的工作溫度范圍，能夠在極端溫度條件下可靠運行。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)計中。
6. TO-220封裝提供良好的散熱性能，便于安裝和維護。
STP8N80K5廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
3. 電機驅(qū)動及控制電路中的開關(guān)元件。
4. 各類工業(yè)設(shè)備中的高壓開關(guān)。
5. 能量存儲系統(tǒng)的充放電管理模塊。
6. 其他需要高壓、高效率功率管理的應(yīng)用場景。
IRF840,
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FDP8N80E,
IXYS IXFN80N,
ON Semiconductor MTP8N80
