STP8N120K5是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝,具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種電力電子應(yīng)用,包括開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等。這款MOSFET的設(shè)計(jì)使其能夠在高壓環(huán)境下保持高效性能。
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流:8A
導(dǎo)通電阻:1.6Ω
柵極電荷:39nC
總電容:200pF
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
STP8N120K5是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特點(diǎn):
1. 高擊穿電壓(1200V),適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 較低的導(dǎo)通電阻(1.6Ω),減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
3. 快速開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 具備出色的可靠性和耐用性,適用于工業(yè)級和汽車級應(yīng)用。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。
STP8N120K5廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 電動(dòng)車和混合動(dòng)力車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器。
5. 高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他高壓功率處理設(shè)備。
由于其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻,該器件特別適合于要求高效率和可靠性的高壓應(yīng)用。
STP12N120K5
STP16N120K5
IRFP260N
FDP18N120A