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STP8N120K5 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 17:24:09 查看 閱讀:11

STP8N120K5是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝,具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種電力電子應(yīng)用,包括開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等。這款MOSFET的設(shè)計(jì)使其能夠在高壓環(huán)境下保持高效性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流:8A
  導(dǎo)通電阻:1.6Ω
  柵極電荷:39nC
  總電容:200pF
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

STP8N120K5是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特點(diǎn):
  1. 高擊穿電壓(1200V),適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
  2. 較低的導(dǎo)通電阻(1.6Ω),減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  3. 快速開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗。
  4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 具備出色的可靠性和耐用性,適用于工業(yè)級和汽車級應(yīng)用。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。

應(yīng)用

STP8N120K5廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域,包括但不限于以下應(yīng)用:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 電動(dòng)車和混合動(dòng)力車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器。
  5. 高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他高壓功率處理設(shè)備。
  由于其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻,該器件特別適合于要求高效率和可靠性的高壓應(yīng)用。

替代型號

STP12N120K5
  STP16N120K5
  IRFP260N
  FDP18N120A

stp8n120k5推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

stp8n120k5參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ¥55.25000管件
  • 系列MDmesh? K5
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)1200 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)2 歐姆 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)13.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)505 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-220
  • 封裝/外殼TO-220-3