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STP75N75F4 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 15:04:14 查看 閱讀�10

STP75N75F4是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用了先進的MDmesh技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種工�(yè)�(yīng)用中的功率管�。STP75N75F4封裝為TO-220AC,其額定電壓�75V,最大連續(xù)漏極電流�75A�
  該MOSFET的設(shè)計注重高效能表現(xiàn),在開關(guān)速度和導(dǎo)通損耗之間實�(xiàn)了良好的平衡,從而降低了系統(tǒng)的整體功耗。同�,它具備出色的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性�

參數(shù)

最大漏源電壓:75V
  最大連續(xù)漏極電流�75A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.8mΩ
  柵極電荷(Qg):105nC
  總功耗:265W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

STP75N75F4的主要特性包括:
  1. 額定電壓�75V,適用于中等電壓的應(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅�3.8mΩ,有助于減少�(dǎo)通損��
  3. 具有較高的雪崩擊穿能量(EAS�,能夠承受異常情況下的瞬�(tài)過載�
  4. 采用MDmesh技�(shù),優(yōu)化了單元�(jié)�(gòu)以提升效率和可靠��
  5. 柵極電荷較低,有助于實現(xiàn)快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損��
  6. 寬廣的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運行�
  7. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的需求�
  此外,其堅固耐用的設(shè)計使得該器件能夠勝任多種嚴苛條件下的�(yīng)用需求�

�(yīng)�

STP75N75F4廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓電路�
  3. 工業(yè)電機控制和驅(qū)動電��
  4. 電動車充電系�(tǒng)及電池管理系�(tǒng)�
  5. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS��
  6. 各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場景,如LED照明�(qū)動器和家電功率控制模塊等�

替代型號

STP75N75F7,
  STP75NM60,
  STP75DM6

stp75n75f4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stp75n75f4資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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stp75n75f4參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列DeepGATE?, STripFET?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�75 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)78A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)11 毫歐 @ 39A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)76 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)5015 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220
  • 封裝/外殼TO-220-3