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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STP6621

STP6621 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:22:29 查看 閱讀�23

STP6621是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高性能功率MOSFET,采用TO-220封裝。這款器件主要用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。STP6621屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于中高電壓�(yīng)用環(huán)��
  該器件通過(guò)�(yōu)化的制造工藝實(shí)�(xiàn)了較低的�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�,從而提高了系統(tǒng)的整體效�。此�,其出色的熱性能和魯棒性設(shè)�(jì)使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�6.5A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
  柵極電荷�35nC
  輸入電容�1240pF
  總耗散功率(@Tc=25°C):119W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
  封裝形式:TO-220

特�

STP6621的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可�(dá)600V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 低導(dǎo)通電�,典型值為0.18Ω,能夠有效降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(35nC�,可減少�(kāi)�(guān)損��
  4. �(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定工��
  5. �(qiáng)大的電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達(dá)6.5A,滿(mǎn)足大功率需��
  6. TO-220封裝,易于安裝且散熱性能良好�
  7. 工作溫度范圍寬廣,支持從-55°C�+150°C的結(jié)溫區(qū)�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�

�(yīng)�

STP6621廣泛�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,例如適配器、充電器�,提供高效的功率�(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度與方��
  3. 逆變器系�(tǒng),如太陽(yáng)能逆變器或不間斷電源(UPS�,實(shí)�(xiàn)交流-直流�(zhuǎn)換�
  4. 電子�(fù)載及電池保護(hù)電路,確保設(shè)備的安全�(yùn)��
  5. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�,例如電磁閥�(qū)�(dòng)、繼電器控制等�

替代型號(hào)

STP60NF06L, IRFZ44N

stp6621推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)