STP6621是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高性能功率MOSFET,采用TO-220封裝。這款器件主要用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。STP6621屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于中高電壓�(yīng)用環(huán)��
該器件通過(guò)�(yōu)化的制造工藝實(shí)�(xiàn)了較低的�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�,從而提高了系統(tǒng)的整體效�。此�,其出色的熱性能和魯棒性設(shè)�(jì)使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�6.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
柵極電荷�35nC
輸入電容�1240pF
總耗散功率(@Tc=25°C):119W
工作�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
封裝形式:TO-220
STP6621的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可�(dá)600V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
2. 低導(dǎo)通電�,典型值為0.18Ω,能夠有效降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(35nC�,可減少�(kāi)�(guān)損��
4. �(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定工��
5. �(qiáng)大的電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達(dá)6.5A,滿(mǎn)足大功率需��
6. TO-220封裝,易于安裝且散熱性能良好�
7. 工作溫度范圍寬廣,支持從-55°C�+150°C的結(jié)溫區(qū)�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
STP6621廣泛�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,例如適配器、充電器�,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度與方��
3. 逆變器系�(tǒng),如太陽(yáng)能逆變器或不間斷電源(UPS�,實(shí)�(xiàn)交流-直流�(zhuǎn)換�
4. 電子�(fù)載及電池保護(hù)電路,確保設(shè)備的安全�(yùn)��
5. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�,例如電磁閥�(qū)�(dòng)、繼電器控制等�
STP60NF06L, IRFZ44N