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STP60N3LH5 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 0:33:35 查看 閱讀�8

STP60N3LH5是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用THT封裝形式,具體為TO-220AB封裝。STP60N3LH5以其低導(dǎo)通電阻和高效率而著稱,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景中�
  STP60N3LH5屬于MDmesh?技�(shù)系列,這種技�(shù)通過�(yōu)化單元結(jié)�(gòu)�(shè)�,在保持較低�(dǎo)通電阻的同時,也確保了良好的開關(guān)性能。因�,這款器件非常適合用于需要高頻開�(guān)的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.7mΩ
  總功耗:140W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220AB

特�

STP60N3LH5具有非常低的�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,在典型條件下僅�8.7毫歐�。這一特性使得其傳導(dǎo)損耗大大降�,從而提高了整體系統(tǒng)的效��
  此外,該器件具備出色的熱性能,可以承受較高的功耗而不至于過熱。其柵極電荷相對較小,有助于減少開關(guān)過程中的能量損失�
  STP60N3LH5還擁有較快的開關(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用的需�。同時,它具有較強的抗雪崩能�,能夠在異常情況下保護電路不受損��
  另外,由于采用了MDmesh?技�(shù),該器件在保證低�(dǎo)通電阻的同時,還維持了較高的擊穿電壓,這使其更加可靠和�(wěn)��

�(yīng)�

STP60N3LH5主要�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換場�,例如開�(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等。在這些�(yīng)用中,STP60N3LH5憑借其低導(dǎo)通電阻和高效的功率處理能力,可以顯著提升系統(tǒng)的整體效��
  此外,它還可以用于電池管理系�(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護功能,或者作為電子負(fù)載中的關(guān)鍵元��

替代型號

IRFZ44N
  STP60NF3
  FDP5800

stp60n3lh5推薦供應(yīng)� 更多>

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stp60n3lh5參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STP60N3LH5 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C48A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫歐 @ 24A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.8nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V
  • 功率 - 最�60W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-10713-5