STP60N3LH5是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用THT封裝形式,具體為TO-220AB封裝。STP60N3LH5以其低導(dǎo)通電阻和高效率而著稱,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景中�
STP60N3LH5屬于MDmesh?技�(shù)系列,這種技�(shù)通過�(yōu)化單元結(jié)�(gòu)�(shè)�,在保持較低�(dǎo)通電阻的同時,也確保了良好的開關(guān)性能。因�,這款器件非常適合用于需要高頻開�(guān)的應(yīng)用環(huán)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.7mΩ
總功耗:140W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220AB
STP60N3LH5具有非常低的�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,在典型條件下僅�8.7毫歐�。這一特性使得其傳導(dǎo)損耗大大降�,從而提高了整體系統(tǒng)的效��
此外,該器件具備出色的熱性能,可以承受較高的功耗而不至于過熱。其柵極電荷相對較小,有助于減少開關(guān)過程中的能量損失�
STP60N3LH5還擁有較快的開關(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用的需�。同時,它具有較強的抗雪崩能�,能夠在異常情況下保護電路不受損��
另外,由于采用了MDmesh?技�(shù),該器件在保證低�(dǎo)通電阻的同時,還維持了較高的擊穿電壓,這使其更加可靠和�(wěn)��
STP60N3LH5主要�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換場�,例如開�(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等。在這些�(yīng)用中,STP60N3LH5憑借其低導(dǎo)通電阻和高效的功率處理能力,可以顯著提升系統(tǒng)的整體效��
此外,它還可以用于電池管理系�(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護功能,或者作為電子負(fù)載中的關(guān)鍵元��
IRFZ44N
STP60NF3
FDP5800