STP26NM60N是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,適用于高電壓和高電流應(yīng)用場合。其主要特點是低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及良好的熱性能。這使得STP26NM60N非常適合于開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電路中。
STP26NM60N的最大漏源極電壓為600V,具有較高的耐壓能力,能夠承受瞬態(tài)高壓脈沖,同時在額定工作條件下表現(xiàn)出較低的功耗。
最大漏源極電壓:600V
最大柵源極電壓:±20V
最大漏極電流:9.5A(@25°C),4.8A(@100°C)
導(dǎo)通電阻:3.5Ω(典型值,@Vgs=10V)
總功耗:115W
結(jié)溫范圍:-55°C至+150°C
封裝形式:TO-220
STP26NM60N是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有以下顯著特點:
1. 高電壓處理能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 低導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)速度,支持高頻操作,降低開關(guān)損耗。
4. 良好的熱性能,保證了長時間穩(wěn)定運行。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高。
6. 封裝堅固耐用,便于散熱設(shè)計及安裝。
這些特性使其成為許多工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品的理想選擇,尤其在需要高效功率轉(zhuǎn)換和可靠性的場合。
STP26NM60N廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計,包括AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 各種電機驅(qū)動器,例如步進電機和無刷直流電機控制。
3. 電池充電器,提供高效的能量傳輸。
4. 照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器和LED驅(qū)動器。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的繼電器和固態(tài)開關(guān)。
6. 電動汽車和混合動力汽車的動力管理系統(tǒng)。
由于其出色的電氣特性和可靠性,STP26NM60N是眾多功率應(yīng)用的理想解決方案。
STP26NF60, IRF540N