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STP26NM60N 發(fā)布時間 時間:2025/5/28 12:04:57 查看 閱讀:6

STP26NM60N是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,適用于高電壓和高電流應(yīng)用場合。其主要特點是低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及良好的熱性能。這使得STP26NM60N非常適合于開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電路中。
  STP26NM60N的最大漏源極電壓為600V,具有較高的耐壓能力,能夠承受瞬態(tài)高壓脈沖,同時在額定工作條件下表現(xiàn)出較低的功耗。

參數(shù)

最大漏源極電壓:600V
  最大柵源極電壓:±20V
  最大漏極電流:9.5A(@25°C),4.8A(@100°C)
  導(dǎo)通電阻:3.5Ω(典型值,@Vgs=10V)
  總功耗:115W
  結(jié)溫范圍:-55°C至+150°C
  封裝形式:TO-220

特性

STP26NM60N是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有以下顯著特點:
  1. 高電壓處理能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
  2. 低導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關(guān)速度,支持高頻操作,降低開關(guān)損耗。
  4. 良好的熱性能,保證了長時間穩(wěn)定運行。
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高。
  6. 封裝堅固耐用,便于散熱設(shè)計及安裝。
  這些特性使其成為許多工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品的理想選擇,尤其在需要高效功率轉(zhuǎn)換和可靠性的場合。

應(yīng)用

STP26NM60N廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計,包括AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 各種電機驅(qū)動器,例如步進電機和無刷直流電機控制。
  3. 電池充電器,提供高效的能量傳輸。
  4. 照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器和LED驅(qū)動器。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的繼電器和固態(tài)開關(guān)。
  6. 電動汽車和混合動力汽車的動力管理系統(tǒng)。
  由于其出色的電氣特性和可靠性,STP26NM60N是眾多功率應(yīng)用的理想解決方案。

替代型號

STP26NF60, IRF540N

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stp26nm60n參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STP26NM60N View All Specifications
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫歐 @ 10A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
  • 功率 - 最大140W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 工具箱497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
  • 其它名稱497-9064-5