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STP18N60M2 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 9:57:17 查看 閱讀�34

STP18N60M2是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用了MDmesh? M2技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的雪崩能�,適合于多種高電�、大電流的應(yīng)用場�。STP18N60M2適用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等�(yīng)用領(lǐng)�,其封裝形式為TO-220。該器件能夠提供卓越的電氣性能,同時保持了良好的熱�(wěn)定性和可靠��
  STP18N60M2的額定電壓為600V,連續(xù)漏極電流�18A(在25°C時)。它通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�,在保證低導(dǎo)通電阻的同時,還具備較高的dv/dt耐受能力�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�18A
  柵極閾值電壓:2.3V~4.5V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.1Ω
  功耗:18W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�

特�

STP18N60M2的主要特性包括以下幾點:
  1. 高額定電壓(600V�,使其能夠應(yīng)用于高壓�(huán)�,例如工�(yè)�(shè)備和汽車電子系統(tǒng)�
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�1.1Ω(典型值),有助于降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 較高的雪崩能量能力,增強了器件在異常條件下的魯棒��
  4. MDmesh? M2技�(shù)的應(yīng)�,使器件在性能和成本之間取得了良好的平��
  5. 支持高頻率開�(guān)操作,適合現(xiàn)代高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
  6. TO-220封裝形式,便于散熱設(shè)計和PCB布局�
  7. 寬工作溫度范圍(-55℃至175℃),適�(yīng)各種嚴苛的工作環(huán)��
  這些特性使得STP18N60M2成為眾多高電壓、中等電流應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

STP18N60M2主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):如適配器、充電器和LED�(qū)動電源等�
  2. 電機�(qū)動:用于控制和驅(qū)動小型直流電機或步進電��
  3. 逆變器:�(yīng)用于太陽能逆變器或其他類型的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、變頻器��
  5. 汽車電子:包括車載充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他車載電源管理模塊�
  由于其出色的電氣特性和�(wěn)定�,STP18N60M2在這些�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,能夠滿足高性能和高可靠性的需��

替代型號

STP18NF60, IRFZ44N, FDP18N60C

stp18n60m2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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stp18n60m2�(chǎn)�

stp18n60m2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�998�(xiàn)�
  • 價格1 : �18.05000管件
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)13A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)280 毫歐 @ 6.5A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)21.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)791 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220
  • 封裝/外殼TO-220-3