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STP10NK70ZFP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 23:07:38 查看 閱讀�6

STP10NK70ZFP 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET,采用DPAK封裝形式。該器件適用于高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)電子�(shè)備中�
  STP10NK70ZFP的額定電壓為700V,能夠承受高壓環(huán)境下的工作需�,同�(shí)其最大連續(xù)漏極電流可達(dá)10A(在25℃結(jié)溫下�。該器件通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了較低的柵極電荷和輸出電�,從而提升了系統(tǒng)整體效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:700V
  最大連續(xù)漏極電流�10A
  最大漏源擊穿電壓:700V
  RDS(on)(最大值,在ID=4.8A, VGS=10V條件下)�0.9Ω
  柵極電荷(典型值)�35nC
  輸出電荷(典型值)�85nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間(典型�,tr+tf):40ns
  功耗:6W(Tc=25℃時(shí)的最大功耗)
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

1. 高壓耐受能力,額定電壓高�(dá)700V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻RDS(on),可減少傳導(dǎo)損�,提高效��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,具備較小的柵極電荷和輸出電荷,適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  4. 較寬的工作溫度范圍(-55℃至175℃),確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 封裝形式為DPAK(TO-252),便于表面貼裝及散熱設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 逆變器和�(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
  4. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  5. LED�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)組件�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)與切換功能實(shí)�(xiàn)�

替代型號(hào)

IRF840,
  STP16NF55,
  FDP17N50,
  IXTH10N75P3,
  STP10NM60,
  STL11N60DM4

stp10nk70zfp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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stp10nk70zfp參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STP10NK70ZFP View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)700V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.6A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫歐 @ 4.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
  • 功率 - 最�35W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-12602-5STP10NK70ZFP-ND