這些器件利用了意法半�(dǎo)體專(zhuān)有STripFET?技�(shù)的第七代�(shè)�(jì)�(guī)�,并采用了新的柵極結(jié)�(gòu)。由此產(chǎn)生的功率MOSFET在所有封裝中表現(xiàn)出最低的RDS(導(dǎo)通)�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.0068Ω
極性:N-Channel
耗散功率�150 W
閾值電壓:4.5 V
輸入電容�4369 pF
漏源極電�(Vds)�100 V
上升�(shí)間:40 ns
輸入電容(Ciss)�4369pF 50V(Vds)
額定功率(Max)�150 W
下降�(shí)間:15 ns
工作溫度(Max)�175�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�150W(Tc)
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220-3
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube
制造應(yīng)用:�(yī)�
�(zhǎng)度:10.4 mm
封裝:TO-220-3