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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STP100N10F7

STP100N10F7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/20 15:29:30 查看 閱讀�321

這些器件利用了意法半�(dǎo)體專(zhuān)有STripFET?技�(shù)的第七代�(shè)�(jì)�(guī)�,并采用了新的柵極結(jié)�(gòu)。由此產(chǎn)生的功率MOSFET在所有封裝中表現(xiàn)出最低的RDS(導(dǎo)通)�

技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.0068Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�150 W
  閾值電壓:4.5 V
  輸入電容�4369 pF
  漏源極電�(Vds)�100 V
  上升�(shí)間:40 ns
  輸入電容(Ciss)�4369pF 50V(Vds)
  額定功率(Max)�150 W
  下降�(shí)間:15 ns
  工作溫度(Max)�175�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�150W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

其他�(shuō)�

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  制造應(yīng)用:�(yī)�

外形尺寸

�(zhǎng)度:10.4 mm
  封裝:TO-220-3

stp100n10f7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stp100n10f7�(chǎn)�

stp100n10f7參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�89�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �24.17000管件
  • 系列DeepGATE?, STripFET? VII
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)80A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)8 毫歐 @ 40A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)61 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4369 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220
  • 封裝/外殼TO-220-3