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STN1NK80Z 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 14:53:35 查看 閱讀�27

STN1NK80Z是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TOLL封裝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。STN1NK80Z具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn),能夠在高頻和高效率的電路設(shè)�(jì)中表�(xiàn)�(yōu)異�
  這款MOSFET在性能和可靠性方面表�(xiàn)突出,適用于需要高電流處理能力和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�237A
  �(dǎo)通電阻:1.05mΩ
  柵極電荷�148nC
  總電容:6940pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
  封裝類型:TOLL

特�

STN1NK80Z是一款高度優(yōu)化的功率MOSFET,其主要特點(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,支持高�(dá)237A的連續(xù)漏極電流,滿足高功率�(yīng)用需求�
  3. 采用先�(jìn)的制造工�,確保器件在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的工作性能�
  4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性和抗過載能��
  5. TOLL封裝形式,提供卓越的散熱性能和易于焊接安裝的便利��
  這些特性使得STN1NK80Z非常適合用于要求高效能和高可靠性的電力電子�(yīng)用中�

�(yīng)�

STN1NK80Z主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,如服務(wù)器電�、工�(yè)電源��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,包括電�(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)等汽車應(yīng)用以及家用電器中的電�(jī)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于筆記本電腦適配�、通信電源��
  4. �(fù)載開�(guān),特別是在需要快速開�(guān)響應(yīng)和低功耗的�(chǎng)景中�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于保�(hù)電池免受過流和短路的影響�
  總之,STN1NK80Z憑借其高性能和可靠�,成為許多電力電子應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

STP120N10F7,
  IRLB8749PBF,
  FDP16N10,
  AON6300,
  IXTH16N10L2

stn1nk80z推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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stn1nk80z參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STN1NK80Z View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C250mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds160pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-4669-6