STN1HNK60 是一款由意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)� N 灃道通態(tài) MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動應��
這款 MOSFET 的額定電壓為 60V,廣泛用于消費電�、工�(yè)控制以及通信設備等領��
類型:N-channel MOSFET
最大漏源電� Vds�60V
連續(xù)漏極電流 Id�28A
導通電� Rds(on)�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極電荷 Qg�49nC
輸入電容 Ciss�2780pF
輸出電容 Coss�235pF
反向恢復時間 Tr�12ns
工作溫度范圍 Tj�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
STN1HNK60 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,能夠適應高頻應用需��
3. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下具備良好的魯棒性�
4. 熱穩(wěn)定性強,適合在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)使用�
5. 封裝牢固可靠,便于散熱設計和自動化生�(chǎn)�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
STN1HNK60 主要應用于以下領域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)�
3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)��
4. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS��
5. 各類工業(yè)自動化設備中的負載切��
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
STP12NK60, IRFZ44N