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STN1HNK60 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 13:40:25 查看 閱讀�22

STN1HNK60 是一款由意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)� N 灃道通態(tài) MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動應��
  這款 MOSFET 的額定電壓為 60V,廣泛用于消費電�、工�(yè)控制以及通信設備等領��

參數(shù)

類型:N-channel MOSFET
  最大漏源電� Vds�60V
  連續(xù)漏極電流 Id�28A
  導通電� Rds(on)�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V時)
  柵極電荷 Qg�49nC
  輸入電容 Ciss�2780pF
  輸出電容 Coss�235pF
  反向恢復時間 Tr�12ns
  工作溫度范圍 Tj�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

STN1HNK60 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,能夠適應高頻應用需��
  3. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下具備良好的魯棒性�
  4. 熱穩(wěn)定性強,適合在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)使用�
  5. 封裝牢固可靠,便于散熱設計和自動化生�(chǎn)�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�

應用

STN1HNK60 主要應用于以下領域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)�
  3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)��
  4. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS��
  5. 各類工業(yè)自動化設備中的負載切��
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��

替代型號

STP12NK60, IRFZ44N

stn1hnk60推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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stn1hnk60參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STN1HNK60 View All Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C400mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.7V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds156pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應商設備封�SOT-223
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-4668-6