STM32F405VGT6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC�(nèi)�,工作頻率高�(dá)168 MHz。Cortex-M4�(nèi)核具有浮�(diǎn)單元(FPU)單精�,支持所有Arm單精度數(shù)�(jù)處理指令和數(shù)�(jù)類型。它還實(shí)�(xiàn)了一套完整的DSP指令和一�(gè)增強(qiáng)�(yīng)用程序安全性的�(nèi)存保�(hù)單元(MPU)。STM32F405VGT6包含高速嵌入式存儲(chǔ)�(高達(dá)1M字節(jié)的閃�,高�(dá)192K字節(jié)的SRAM)、高�(dá)4K字節(jié)的備份SRAM,以及連接到兩條APB總線、三條AHB總線和一�(gè)32位多AHB總線矩陣的一系列增強(qiáng)型I/O和外圍設(shè)備�
� 核心�Arm?32�Cortex?-M4 CPU,帶FPU,自適應(yīng)�(shí)�(shí)加速器�ART加速器�,允許從閃存�(zhí)�0等待狀�(tài),頻率高�(dá)168 MHz,內(nèi)存保�(hù)單元�210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz�Dhrystone 2.1)和DSP指令
� 回憶
�高達(dá)1M字節(jié)的閃�
�高達(dá)192+4 KB�SRAM,包�64 KB�CCM(核心耦合存儲(chǔ)器)�(shù)�(jù)RAM
�512字節(jié)OTP�(nèi)�
�靈活的靜�(tài)存儲(chǔ)器控制器,支�Compact Flash�SRAM�PSRAM�NOR�NAND存儲(chǔ)�
� LCD并行接口�8080/6800模式
� �(shí)鐘、重置和供應(yīng)管理
�1.8 V�3.6 V�(yīng)用電源和I/O
�POR�PDR�PVD�BOR
�4�26兆赫晶體振蕩�
��(nèi)�16 MHz工廠微調(diào)RC�1%精度�
�32 kHz振蕩�,用于帶校準(zhǔn)�RTC
�帶校�(zhǔn)的內(nèi)�32 kHz RC
� 低功率運(yùn)�
�睡眠、停止和待機(jī)模式
�用于RTC�VBAT電源�20×32位備份寄存器+可選�4 KB備份SRAM
� 3×12��2.4 MSPS A/D�(zhuǎn)換器:最�24�(gè)通道�7.2 MSPS三重交織模式
� 2×12�D/A�(zhuǎn)換器
� 通用DMA:具�FIFO和突�(fā)支持�16�DMA控制�
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半導(dǎo)�) |
封裝 | LQFP-100_14x14x05P | 包裝 | 托盤 |
�(chǎn)品應(yīng)� | 消費(fèi)�(jí) | 核心處理� | ARMCortex-M4 |
�(nèi)核規(guī)� | 32-� | 速度 | 168MHz |
連接能力 | CANbus,EBI/EMI,I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART,USBOTG | 外設(shè) | 欠壓檢測(cè)/�(fù)�,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT |
I/O�(shù) | 82 | 程序存儲(chǔ)容量 | 1MB�1Mx8� |
程序存儲(chǔ)器類� | 閃存 | EEPROM容量 | - |
RAM大小 | 192Kx8 | 電壓-供電(Vcc/Vdd) | 1.8V~3.6V |
�(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器 | A/D16x12b;D/A2x12b | 振蕩器類� | �(nèi)� |
工作溫度 | -40℃~85℃(TA� | 安裝類型 | 表面貼裝� |
基本�(chǎn)品編�(hào) | STM32F405 | HTSUS | 8542.31.0001 |
濕氣敏感性等�(jí)(MSL) | 3�168小時(shí)� | ECCN | 3A991A2 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3�(guī)� | REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� |
STM32F405VGT6原理�
STM32F405VGT6引腳�
STM32F405VGT6封裝