STM32F358VCT6基于高性能ARM?Cortex?-M4 32位RISC�(nèi)核,F(xiàn)PU工作頻率高達(dá)72 MHz,并嵌入浮點(diǎn)單元(FPU)、內(nèi)存保�(hù)單元(MPU)和嵌入式跟蹤宏單�(ETM)。該系列集成了高速嵌入式存儲(chǔ)�(高達(dá)256 KB的閃�,高�(dá)48 KB的SRAM)以及連接到兩條APB總線的大量增�(qiáng)型I/O和外圍設(shè)備�
STM32F358VCT6提供最多四�(gè)快�12位ADC(5 Msps)、最多七�(gè)比較器、最多四�(gè)�(yùn)算放大器、最多兩�(gè)DAC通道、一�(gè)低功耗RTC、最多五�(gè)通用16位定�(shí)�、一�(gè)通用32位定�(shí)器和兩�(gè)專用于電�(jī)控制的定�(shí)器。STM32F358VCT6還具有標(biāo)�(zhǔn)和高�(jí)通信接口:最多兩�(gè)I2C、最多三�(gè)SPI(兩�(gè)SPI在STM32F358xC�(shè)備上具有多路�(fù)用全雙工I2S)、三�(gè)USART、最多兩�(gè)UART和CAN。為了實(shí)�(xiàn)音頻�(jí)精度,可以通過外部PLL�(duì)I2S外圍�(shè)備�(jìn)行計(jì)�(shí)�
核心:ARMCortex-M4 32位CPU,帶FPU(72兆赫最�),單周期乘法�
HW部門�90 DMIPS(來自CCM)� DSP指令和MPU(�(nèi)存保�(hù)單元)�
操作條件:
vdd: 1.8v±8%
VDDA電壓范圍:1.65 ~ 3.6 V
記憶
256kbytes的閃�
高達(dá)40kbytes的SRAM,與HW奇偶校驗(yàn)檢查�(zhí)行在�16kbytes�
例行啟動(dòng):8kbytes的SRAM指令和數(shù)�(jù)總線,具有HW奇偶校驗(yàn)
檢查(CCM:核心耦合存儲(chǔ)�)
CRC�(jì)算單�
重置和供�(yīng)管理
低功耗模�:休眠、停�
VBAT供應(yīng)RTC和備份寄存器
�(shí)鐘管�
4�32兆赫的晶體振蕩器
校準(zhǔn)的RTC 32khz振蕩�
�(nèi)�8 MHz RC x 16鎖相�(huán)選項(xiàng)
�(nèi)�40khz振蕩�
高達(dá)86�(gè)快速I/ o
所有可映射到外部中斷向�
幾�(gè)5v的耐受
互連矩�
12通道DMA控制�
最�4�(gè)ADC 0.20μS(最�38通道)可選分辨�12/10/8/6��0�3.6 V�(zhuǎn)換范�,獨(dú)立模擬供電電壓為1.8 ~ 3.6 V
多達(dá)兩�(gè)12位DAC通道與模擬電源從2.4�3.6 V
七�(gè)快速軌�(duì)軌模擬比較器�1.65�3.6 V的模擬電�
最多可容納四�(gè)�(yùn)算放大器
在PGA模式下使�,所有終端可訪問模擬電源�2.4�3.6 V
包裝 | 托盤 | 電壓-供電(Vcc/Vdd) | 1.65V ~ 1.95V |
商品�(biāo)� | 通用類MCU | �(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器 | A/D 4x12b;D/A 2x12b |
核心處理� | ARM Cortex-M4F | 振蕩器類� | �(nèi)� |
�(nèi)核規(guī)� | 32-� | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA� |
速度 | 72MHz | 安裝類型 | 表面貼裝� |
連接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART | 基本�(chǎn)品編�(hào) | STM32 |
外設(shè) | DMA,I2S,POR,PWM,WDT | I/O�(shù) | 86 |
濕氣敏感性等�(jí)(MSL) | 3�168 小時(shí)� | RoHS狀�(tài) | 符合 ROHS3 �(guī)� |
ECCN | 3A991A2 | REACH狀�(tài) | � REACH �(chǎn)� |
HTSUS | 8542.31.0001 |
STM32F358VCT6原理�
STM32F358VCT6引腳�
STM32F358VCT6封裝
STM32F358VCT6絲印
STM32F358VCT6料號(hào)解釋