STM32F302VDT6基于高性能ARM?Cortex?-M4 32位RISC�(nèi)�,F(xiàn)PU工作頻率�72 MHz,內(nèi)置浮�(diǎn)單元(FPU)、內(nèi)存保�(hù)單元(MPU)和嵌入式跟蹤宏單�(ETM)。STM32F302VDT6包括高速嵌入式存儲(chǔ)�(512 KB閃存�64 KB SRAM)、用于靜�(tài)存儲(chǔ)�(SRAM、PSRAM、NOR和NAND)的靈活存�(chǔ)器控制器(FSMC),以及連接到AHB和兩條APB總線的大量增�(qiáng)型I/O和外圍設(shè)�。STM32F302VDT6提供兩�(gè)快�12位ADC(5 Msps)、四�(gè)比較�、兩�(gè)�(yùn)算放大器、一�(gè)DAC通道、一�(gè)低功耗RTC、最多兩�(gè)通用16位定�(shí)�、一�(gè)通用32位定�(shí)器和一�(gè)專用于電�(jī)控制的定�(shí)�。它們還具有�(biāo)�(zhǔn)和高�(jí)通信接口:最多三�(gè)I2C、最多四�(gè)SPI(兩�(gè)SPI具有多路�(fù)用全雙工I2S)、三�(gè)USART、最多兩�(gè)UART、CAN和USB。為了實(shí)�(xiàn)音頻�(jí)精度,可以通過外部PLL�(duì)I2S外圍�(shè)備�(jìn)行計(jì)�(shí)�
核心:ARMCortex-M4 32位CPU�72 MHz FPU,單周期乘法和 HW分割,DSP指令和MPU(�(nèi)存保�(hù)單元)
操作條件:
VDD、VDDA電壓范圍:2.0 V ~ 3.6 V
記憶
最�512kb的Flash�(nèi)�
64kbytes SRAM, HW奇偶校驗(yàn)在最初的32千字節(jié)上實(shí)�(xiàn)�
SMC (Flexible memory controller)
靜態(tài)�(nèi)存,有四�(gè)芯片選擇
CRC�(jì)算單�
重置和供�(yīng)管理
開機(jī)/�(guān)�(jī)�(fù)�(POR/PDR)
可編程電壓檢�(cè)�(PVD)
低功耗模�:睡眠,停止和
備用
VBAT供應(yīng)RTC和備份寄存器
�(shí)鐘管�
4�32兆赫的晶體振蕩器
校準(zhǔn)的RTC 32khz振蕩�
�(nèi)�8 MHz RC x 16鎖相�(huán)選項(xiàng)
�(nèi)�40khz振蕩�
高達(dá)115�(gè)快速I/ o
所有可映射到外部中斷向�
幾�(gè)5v的耐受
互連矩�
12通道DMA控制�
兩�(gè)adc 0.20μs(最�18�(gè)通道)可選分辨�12/10/8/6位,0�3.6 V�(zhuǎn)換范�,獨(dú)立模�
電源�2.0�3.6 V
一�(gè)帶模擬電源的12位DAC通道�2.4�3.6 V
商品分類 | MCU微控制器 | I/O�(shù) | 86 |
品牌 | ST(意法半導(dǎo)�) | 程序存儲(chǔ)容量 | 384KB�384K x 8� |
封裝 | 100-LQFP�14x14� | 程序存儲(chǔ)器類� | 閃存 |
商品�(biāo)� | 通用類MCU | RAM大小 | 64K x 8 |
核心處理� | ARM Cortex-M4 | 電壓-供電(Vcc/Vdd) | 2V ~ 3.6V |
�(nèi)核規(guī)� | 32-� | �(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器 | A/D 17x12b; D/A 1x12b |
速度 | 72MHz | 振蕩器類� | �(nèi)� |
連接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA� |
外設(shè) | DMA,I2S,POR,PWM,WDT | 安裝類型 | 表面貼裝� |
基本�(chǎn)品編�(hào) | STM32F302 |
濕氣敏感性等�(jí)(MSL) | 3�168 小時(shí)� | RoHS狀�(tài) | 符合 ROHS3 �(guī)� |
ECCN | 3A991A2 | REACH狀�(tài) | � REACH �(chǎn)� |
HTSUS | 8542.31.0001 |
STM32F302VDT6原理�
STM32F302VDT6引腳�
STM32F302VDT6封裝
STM32F302VDT6絲印
STM32F302VDT6料號(hào)解釋