STH180N10F3-2是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝形式,具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,適用于多種工業(yè)和汽車應�。其設計旨在提供高效、可靠的開關性能,特別是在需要大功率輸出的場景中�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�180A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�150nC
總功耗:250W
工作溫度范圍�-55℃至175�
STH180N10F3-2是一款高性能的功率MOSFET,它具有較低的導通電�,從而減少了傳導損耗并提高了整體效率。此�,它的柵極電荷較�,有助于實現快速開關動�,進而降低開關損��
這款MOSFET具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在較高的結溫下保持正常工作,這使得它非常適合于高溫環(huán)境下的應�。同時,其大電流承載能力使其成為驅動大負載的理想選擇�
STH180N10F3-2還具有良好的抗雪崩能力,能夠承受短暫的過載或反向恢復情況下的能量沖擊,增強了系統(tǒng)的可靠性和耐用��
由于采用了TO-247封裝,這種MOSFET擁有�(yōu)異的散熱性能,便于在高功率密度的應用場合中進行有效散熱管理�
STH180N10F3-2廣泛應用于各類需要高效功率轉換和控制的領�。例如,在電動車輛和混合動力汽車的電機驅動器�,它可以作為主功率開關元件;在太陽能逆變器中,用于實現直流到交流的高效轉�;在不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�,用作關鍵的功率切換組件;在工業(yè)自動化設備中,可用于控制各種大功率負�,如伺服電機、液壓泵等�
此外,它也適合于焊接設備、感應加熱裝置以及其他需要大電流、高效率工作的應用場��
STH180N10F3
IRFP260N
IXFN180N10T2