STH12N120K5-2是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件屬于MDmesh K5技�(shù)系列,采用了先�(jìn)的超�(jié)�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。STH12N120K5-2適用于高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等場景�
其額定電壓為1200V,連續(xù)漏極電流�12A,典型導(dǎo)通電阻Rds(on)�1.35Ω。該器件封裝形式為TO-247,具有出色的熱性能和電氣性能�
額定電壓�1200V
連續(xù)漏極電流�12A
峰值漏極電流:96A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.35Ω
柵極電荷Qg�55nC
輸入電容Ciss�1850pF
反向恢復(fù)�(shí)間Trr�75ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
STH12N120K5-2具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:1200V,能夠適�(yīng)高壓�(huán)境下的應(yīng)用需求�
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為1.35Ω,在高電流應(yīng)用中減少功率損耗�
3. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷Qg和反向恢�(fù)�(shí)間Trr,降低開�(guān)損��
4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定性:能夠在極端溫度范圍內(nèi)工作,適合工�(yè)和汽車級�(yīng)��
5. 超結(jié)技�(shù):采用MDmesh K5技�(shù),優(yōu)化了芯片�(nèi)部結(jié)�(gòu)以提升整體性能�
6. 封裝�(yōu)勢:TO-247封裝提供良好的散熱性能,便于系�(tǒng)集成�
這些特性使得STH12N120K5-2成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
STH12N120K5-2廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括AC-DC適配�、PC電源等�
2. 工業(yè)�(shè)備:用于可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器等�
3. 電機(jī)控制:支持無刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 太陽能逆變器:用于光伏系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換部��
5. 充電器:涵蓋電動(dòng)車充電器、電池充電模塊等�
由于其高耐壓能力和低功耗特�,該器件非常適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場��
STH14N120K5-2, STH10N120K5-2