STGWA50M65DF2是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款高壓功率MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件專為高效�、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),適用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的各種場(chǎng)�,如電機(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及逆變器等。其額定電壓�650V,最大持�(xù)漏極電流可達(dá)50A,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著降低功率損��
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�50A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻(典型�,在Vgs=10V�(shí)):0.13Ω
總功耗:280W
�(jié)溫范圍:-55°C�175°C
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)間:90ns,關(guān)斷延遲時(shí)間:55ns
STGWA50M65DF2具有出色的電氣性能和可靠�。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�;快速開(kāi)�(guān)速度,可降低�(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率;高雪崩能力,確保在�(guò)載條件下仍能�(wěn)定工�;具備增�(qiáng)的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)�;同�(shí),其�(jiān)固耐用的設(shè)�(jì)使其非常適合苛刻的工作環(huán)��
此外,該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有較低的寄生電感和電容,從而減少了�(kāi)�(guān)噪聲和電磁干�。這些�(yōu)�(diǎn)使得STGWA50M65DF2成為高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
STGWA50M65DF2廣泛�(yīng)用于需要高電壓和大電流處理能力的場(chǎng)�。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制交流或直流電機(jī)的速度和方�,支持高效且可靠的運(yùn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為主功率�(kāi)�(guān),實(shí)�(xiàn)輸入輸出電壓的精�(zhǔn)�(zhuǎn)�,滿足不同負(fù)載需��
3. 逆變器:將直流電�(zhuǎn)換為交流�,適用于太陽(yáng)能發(fā)電系�(tǒng)和不間斷電源(UPS��
4. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):提供高效的電力轉(zhuǎn)換解決方�,適用于工業(yè)�(shè)備和家用電器�
5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車:用于電池管理系統(tǒng)、車載充電器以及牽引逆變器中�
STGW50H65DF2
IRFP260N
FDP55N65