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STGWA30M65DF2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 15:42:16 查看 閱讀�16

STGWA30M65DF2 是由 STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)推出的一款碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶體�。該器件采用先�(jìn)� SiC 技�(shù)制�,具有高效率、高頻開(kāi)�(guān)能力和出色的熱性能,非常適合用于工�(yè)和汽車應(yīng)用中的高頻功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  這款 MOSFET 主要針對(duì)需要高效功率處理的�(chǎng)景設(shè)�(jì),例如電�(dòng)汽車充電�、DC-DC �(zhuǎn)換器、太�(yáng)能逆變器和其他高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:7.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�80nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

STGWA30M65DF2 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高耐壓能力�650V 的漏源擊穿電壓確保其能夠在高壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 7.5mΩ(典型值),可顯著降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較低的柵極電荷�80nC 典型值),支持高頻操��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):在高溫條件下仍能保持優(yōu)異性能,適用于極端溫度�(huán)��
  5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,適合長(zhǎng)期運(yùn)行于苛刻的工�(yè)和汽車環(huán)境中�
  6. 小尺寸封裝:有助于節(jié)� PCB 空間,同�(shí)�(yōu)化散熱性能�

�(yīng)�

STGWA30M65DF2 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電動(dòng)汽車(EV)車載充電器� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 太陽(yáng)能逆變器與�(chǔ)能系�(tǒng)�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和不間斷電源(UPS��
  4. 高頻 AC-DC � DC-DC 功率�(zhuǎn)換模��
  5. 高效服務(wù)器和通信電源供應(yīng)系統(tǒng)�
  其高頻開(kāi)�(guān)特性和低損耗使其成為現(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

STGWB40M65DF2, C3M0065090D, FGH60R65SMD

stgwa30m65df2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stgwa30m65df2資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

stgwa30m65df2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�600�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �29.73000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • IGBT 類型溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)60 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2V @ 15V�30A
  • 功率 - 最大�258 W
  • �(kāi)�(guān)能量300μJ(開(kāi)��960μJ(關(guān)�
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷80 nC
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�31.6ns/115ns
  • �(cè)試條�400V�30A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)140 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247 �(zhǎng)引線