STGWA30M65DF2 是由 STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)推出的一款碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶體�。該器件采用先�(jìn)� SiC 技�(shù)制�,具有高效率、高頻開(kāi)�(guān)能力和出色的熱性能,非常適合用于工�(yè)和汽車應(yīng)用中的高頻功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
這款 MOSFET 主要針對(duì)需要高效功率處理的�(chǎng)景設(shè)�(jì),例如電�(dòng)汽車充電�、DC-DC �(zhuǎn)換器、太�(yáng)能逆變器和其他高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ(典型值)
柵極電荷�80nC(典型值)
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
STGWA30M65DF2 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力�650V 的漏源擊穿電壓確保其能夠在高壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 7.5mΩ(典型值),可顯著降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較低的柵極電荷�80nC 典型值),支持高頻操��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):在高溫條件下仍能保持優(yōu)異性能,適用于極端溫度�(huán)��
5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,適合長(zhǎng)期運(yùn)行于苛刻的工�(yè)和汽車環(huán)境中�
6. 小尺寸封裝:有助于節(jié)� PCB 空間,同�(shí)�(yōu)化散熱性能�
STGWA30M65DF2 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電動(dòng)汽車(EV)車載充電器� DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽(yáng)能逆變器與�(chǔ)能系�(tǒng)�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和不間斷電源(UPS��
4. 高頻 AC-DC � DC-DC 功率�(zhuǎn)換模��
5. 高效服務(wù)器和通信電源供應(yīng)系統(tǒng)�
其高頻開(kāi)�(guān)特性和低損耗使其成為現(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
STGWB40M65DF2, C3M0065090D, FGH60R65SMD