�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�
制造商:STMicroelectronics
�(chǎn)品種�(lèi):IGBT 晶體�
封裝 / 箱體:TO-247
集電�-�(fā)射極最大電� VCEO�600 V
集電�-射極擊穿電壓�600 V
集電�-射極飽和電壓�1.9 V/2.1 A
柵極/�(fā)射極最大電壓:20 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic�70 A
柵極-射極漏泄電流�+/- 100 nA
功率耗散�250 W
封裝:Tube
配置:Single
廠商 |
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STMICROELECTRONICS |