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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > STGF19NC60KD

STGF19NC60KD 發(fā)布時間 時間�2024/8/20 15:44:30 查看 閱讀�275

該IGBT采用先�(jìn)的PowerMESH?工藝,在開關(guān)性能和低�(dǎo)通狀�(tài)行為之間實現(xiàn)了極好的�(quán)衡�

特性說�

低導(dǎo)通電壓降(VCE(sat))
  低Cres/Cies比(無交�?zhèn)�?dǎo)敏感性)
  短路耐受時間10μs
  IGBT與超快續(xù)流二極管共封�

技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  耗散功率�32 W
  擊穿電壓(集電�-�(fā)射極)�600 V
  反向恢復(fù)時間�31 ns
  額定功率(Max)�32 W
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�32000 mW

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

其他說明

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube

stgf19nc60kd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
  • 詢價

stgf19nc60kd資料 更多>

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stgf19nc60kd參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STGF19NC60KD View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.75V @ 15V�12A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)16A
  • 功率 - 最�32W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-12595-5STGF19NC60KD-ND