該IGBT采用先�(jìn)的PowerMESH?工藝,在開關(guān)性能和低�(dǎo)通狀�(tài)行為之間實現(xiàn)了極好的�(quán)衡�
低導(dǎo)通電壓降(VCE(sat))
低Cres/Cies比(無交�?zhèn)�?dǎo)敏感性)
短路耐受時間10μs
IGBT與超快續(xù)流二極管共封�
針腳�(shù)�
耗散功率�32 W
擊穿電壓(集電�-�(fā)射極)�600 V
反向恢復(fù)時間�31 ns
額定功率(Max)�32 W
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�32000 mW
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220-3
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube