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STF8NM50N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:04:01 查看 閱讀�7

STF8NM50N是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。這款功率MOSFET采用TO-220封裝形式,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類功率控制電路��
  STF8NM50N的主要特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能力,這使得它能夠在高效率�(yīng)用中提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):STF8NM50N
  類型:N溝道MOSFET
  VDS(漏源電壓)�500V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�1.3Ω(典型�,在VGS=10V�(shí)�
  ID(連續(xù)漏極電流):8A
  VGS(柵源電壓):�20V
  PD(總功耗)�125W
  f(工作頻率):高�(dá)1MHz
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C

特�

STF8NM50N是一款高性能的MOSFET,具有以下特�(diǎn)�
  1. 高耐壓能力:該器件能夠承受高達(dá)500V的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻:RDS(on)�1.3Ω左右(在VGS=10V�(shí)�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  3. 高雪崩擊穿能力:具備良好的抗雪崩能力,確保在異常條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度:支持高頻操�,適合于�(xiàn)代高效能�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  5. 可靠性高:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,保證了其在工業(yè)�(huán)境下的長(zhǎng)期可靠��
  6. 封裝�(jiān)固:采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,易于安裝和散熱�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

STF8NM50N主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于主開(kāi)�(guān)管或同步整流電路�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為功率開(kāi)�(guān)元件,實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于各種直流�(wú)刷電�(jī)或其他電�(jī)控制電路�
  4. �(fù)載切換:在需要快速響�(yīng)和低損耗的�(fù)載切換電路中使用�
  5. 電池保護(hù):用于電池組中的�(guò)流保�(hù)和充放電管理�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:包括各種控制模塊和功率輸出單��

替代型號(hào)

IRF540N, STP8NK50Z, FQP8N50

stf8nm50n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stf8nm50n資料 更多>

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stf8nm50n參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STF8NM50N View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列MDmesh™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C790 毫歐 @ 2.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds364pF @ 50V
  • 功率 - 最�20W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-12590-5STF8NM50N-ND