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STF5N60M2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 17:16:00 查看 閱讀�32

STF5N60M2 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)� N 溝道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特�。它適用于多種高頻開�(guān)�(yīng)用以及功率轉(zhuǎn)換電路中,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等�(lǐng)域�
  STF5N60M2 的設(shè)�(jì)注重效率和可靠�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小體積的需�。此�,其�(jiān)固的封裝�(jié)�(gòu)使其能夠在惡劣環(huán)境下長期�(wěn)定工作�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�5A
  �(dǎo)通電阻:1.9Ω
  柵極電荷�38nC
  總電容:720pF
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  封裝形式:TO-220AC

特�

STF5N60M2 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓(600V�,適合高壓應(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(1.9Ω�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,能夠支持高頻操�,從而降低電磁干擾(EMI)和開關(guān)損��
  4. 小巧的封裝尺�,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +150°C�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  6. �(nèi)置防靜電保護(hù)�(jī)�,提高了器件的耐用性和抗干擾能��
  這些特性使� STF5N60M2 成為眾多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�

�(yīng)�

STF5N60M2 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中的控制和保護(hù)功能�
  3. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路,如電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  5. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)動電��
  6. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)的關(guān)鍵組��
  其卓越的性能和可靠性使其成為許多高性能電子系統(tǒng)的首選功� MOSFET�

替代型號

STF5N60,
  IRF540,
  FDP5570,
  IXTK50N65L,
  BSC056N06NS3

stf5n60m2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

stf5n60m2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,983�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �12.80000管件
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3.7A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.4 歐姆 @ 1.85A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)4.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)165 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220FP
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包