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STF2N80K5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 17:00:11 查看 閱讀�23

STF2N80K5 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,具有出色的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。這款MOSFET在設(shè)�(jì)上注重效率和可靠�,能夠承受高電壓并提供大電流輸出,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變�、直流電�(jī)控制等領(lǐng)域�
  STF2N80K5 的關(guān)鍵特性在于其�(yōu)化的柵極電荷和較低的Rds(on),使得其在高頻開�(guān)條件下仍然能保持較高的效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:800V
  連續(xù)漏極電流�2A
  �(dǎo)通電阻:4.3Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極閾值電壓:4V(典型值)
  功耗:7W(在Tc=25°C�(shí)�
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

STF2N80K5 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)800V的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為4.3Ω(在Vgs=10V�(shí)�,有助于降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷使其適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  4. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)�,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型化設(shè)�(jì):TO-220封裝既保證了散熱性能,又便于安裝和使��
  6. 工作溫度范圍寬:能夠�-55℃至+150℃的�(huán)境下正常工作,適�(yīng)各種氣候條件�

�(yīng)�

STF2N80K5 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)管或同步整流��
  2. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流電的�(chǎng)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):驅(qū)�(dòng)直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  4. 電磁閥控制:用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥�(qū)�(dòng)電路�
  5. LED�(qū)�(dòng)器:為高功率LED燈提供高效驅(qū)�(dòng)解決方案�
  6. 其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)用:如電池充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器��

替代型號(hào)

STF2N80F5, STF2N80E5

stf2n80k5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stf2n80k5資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

stf2n80k5參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,000�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �11.69000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�800 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4.5 歐姆 @ 1A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)95 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220FP
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包