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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > STF10N62K3

STF10N62K3 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 17:29:09 查看 閱讀�27

STF10N62K3是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TO-247封裝形式,具有高擊穿電壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)��
  這款MOSFET的工作電壓高�(dá)650V,能夠承受較高的漏源電壓,同時其最大連續(xù)漏極電流�10A(在特定條件下)。由于其出色的電氣性能和可靠性,STF10N62K3被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子及汽車電子等�(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大柵源電壓:±20V
  最大連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):360mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功耗:185W
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

STF10N62K3具備以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力�650V的漏源電壓使其能夠在高壓�(huán)境中�(wěn)定工��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V�,導(dǎo)通電阻僅�360mΩ,有助于降低功率損耗�
  3. 快速開�(guān)速度:較低的輸入電容和輸出電容設(shè)計提高了開關(guān)效率�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):支持高�(dá)175℃的�(jié)溫操�,增�(qiáng)了器件在高溫�(huán)境下的可靠性�
  5. 高雪崩能量能力:具備良好的抗浪涌能力,可以承受異常情況下的過流沖擊�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

STF10N62K3適用于多種應(yīng)用場�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率控制器��
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
  5. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻器設(shè)��
  6. 各類需要高壓大電流處理能力的電力電子裝置�

替代型號

IRFZ44N, STP10NK60Z, FDP15N65S

stf10n62k3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stf10n62k3參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STF10N62K3 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH3™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)620V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫歐 @ 4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 50V
  • 功率 - 最�30W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220FP
  • 包裝管件