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STD8N10L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 3:12:00 查看 閱讀�10

STD8N10L是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式通常為T(mén)O-220或TO-252,適合在電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(lǐng)域中使用�
  STD8N10L的額定電壓為100V,能夠滿(mǎn)足大多數(shù)中低壓應(yīng)用的需求。由于其出色的電氣特性和散熱性能,這款MOSFET被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.15Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:73W(TO-220封裝�
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  柵極電荷�15nC(典型值)
  輸入電容�1040pF(典型值)
  反向傳輸電容�26pF(典型值)

特�

STD8N10L具有以下主要特性:
  1. 高效的開(kāi)�(guān)性能:較低的�(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,并提高整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度:較小的柵極電荷和反向傳輸電容使得該MOSFET能夠在高頻條件下�(yùn)��
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工作,適應(yīng)多種�(huán)境條��
  4. �(qiáng)大的�(guò)流能力:支持高達(dá)8A的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率�(yīng)用需��
  5. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,確保長(zhǎng)期使用的可靠性�
  這些特性使STD8N10L成為許多電力電子�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

STD8N10L可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
  3. 電池保護(hù)系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源管理模��
  6. LED�(qū)�(dòng)器和照明控制系統(tǒng)�
  7. 電信�(shè)備中的電源調(diào)節(jié)電路�
  由于其高性能和靈活�,STD8N10L幾乎可以覆蓋所有需要中低壓功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP8NR10
  FDP5600

std8n10l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
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