STD8N10L是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式通常為T(mén)O-220或TO-252,適合在電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(lǐng)域中使用�
STD8N10L的額定電壓為100V,能夠滿(mǎn)足大多數(shù)中低壓應(yīng)用的需求。由于其出色的電氣特性和散熱性能,這款MOSFET被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�8A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.15Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗:73W(TO-220封裝�
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
柵極電荷�15nC(典型值)
輸入電容�1040pF(典型值)
反向傳輸電容�26pF(典型值)
STD8N10L具有以下主要特性:
1. 高效的開(kāi)�(guān)性能:較低的�(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,并提高整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度:較小的柵極電荷和反向傳輸電容使得該MOSFET能夠在高頻條件下�(yùn)��
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工作,適應(yīng)多種�(huán)境條��
4. �(qiáng)大的�(guò)流能力:支持高達(dá)8A的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率�(yīng)用需��
5. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,確保長(zhǎng)期使用的可靠性�
這些特性使STD8N10L成為許多電力電子�(yīng)用的理想選擇�
STD8N10L可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
3. 電池保護(hù)系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源管理模��
6. LED�(qū)�(dòng)器和照明控制系統(tǒng)�
7. 電信�(shè)備中的電源調(diào)節(jié)電路�
由于其高性能和靈活�,STD8N10L幾乎可以覆蓋所有需要中低壓功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRFZ44N
STP8NR10
FDP5600