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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STD85N3LH5

STD85N3LH5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 3:11:00 查看 閱讀�7

STD85N3LH5是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款高壓功率MOSFET,屬于MDmesh系列。這款器件采用TO-220封裝形式,適合高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化導(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提升整體的系統(tǒng)效率。該MOSFET廣泛用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)控制、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中�
  該器件具有出色的電氣特性和熱特性,能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定工�。此外,STD85N3LH5還具備低反向恢復(fù)電荷(Qrr)的特點(diǎn),這對(duì)于減少開(kāi)�(guān)損耗尤為重��

參數(shù)

最大漏源電壓:850V
  連續(xù)漏極電流�3A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.7Ω
  柵極電荷�45nC
  總電容(輸入+輸出):300pF
  反向恢復(fù)電荷�36nC
  功耗:9W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

STD85N3LH5采用了先�(jìn)的MDmesh技�(shù),顯著降低了器件的導(dǎo)通電�,同�(shí)提高了散熱性能�
  其高擊穿電壓�850V)使其非常適合應(yīng)用于高壓�(huán)�,例如工�(yè)�(shè)備和汽車(chē)電子�(lǐng)域。低柵極電荷和反向恢�(fù)電荷有助于降低開(kāi)�(guān)損�,從而提高整體效��
  此外,STD85N3LH5在高溫下的穩(wěn)定性也是一大亮�(diǎn),能夠滿足嚴(yán)苛的工作條件需求。這種MOSFET還具有快速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻電路�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

STD85N3LH5主要�(yīng)用于需要高壓和高效能的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  - DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  - 工業(yè)逆變�
  - 太陽(yáng)能微逆變�
  - 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高壓�(kāi)�(guān)
  由于其出色的電氣性能和可靠性,這款MOSFET特別適合�(duì)效率和耐用性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

STD85N3LH6
  STD80N3LH5
  IRFB301PBF

std85n3lh5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

std85n3lh5參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STD85N3LH5 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫歐 @ 40A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 25V
  • 功率 - 最�70W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-7976-6