STD64N4F6AG是一款由意法半導體(STMicroelectronics)制造的高壓功率MOSFET,屬于MDmesh? F6技�(shù)系列。該器件采用TO-220封裝形式,適用于高電�、大電流的應用場�。它具有低導通電阻和高雪崩能力的特點,廣泛用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他電力電子�(shè)備中�
該MOSFET的最大漏源電壓為650V,持�(xù)漏極電流�4A,具有快速開�(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
最大漏源電壓:650V
持續(xù)漏極電流�4A
柵極電荷�31nC
輸入電容�1080pF
導通電阻:0.7Ω
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
STD64N4F6AG具備以下�(guān)鍵特性:
1. 采用先進的MDmesh? F6技�(shù),優(yōu)化了導通電阻與柵極電荷之間的平��
2. 高雪崩能量能�,增強了在過載或短路條件下的魯棒��
3. 極低的反向恢復電�,適合高頻開�(guān)應用�
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
5. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐用性,能夠在高溫環(huán)境下可靠工作�
6. 快速開�(guān)性能減少了開�(guān)損耗,提高了系�(tǒng)效率�
這款功率MOSFET適用于多種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動和控制
3. DC/DC�(zhuǎn)換器
4. 逆變器和不間斷電源(UPS�
5. 照明�(zhèn)流器
6. 充電器和適配�
其高電壓和大電流處理能力使其成為許多高功率應用的理想選擇�
STD64N4F5AG, STD64N4F5XG