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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STD44N4LF6

STD44N4LF6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 11:33:03 查看 閱讀�15

STD44N4LF6是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用STMicroelectronics的MDmesh技�(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高雪崩擊穿能�,適用于需要高效能和高可靠性的開關(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)能夠承受高電壓,并且具備快速開�(guān)速度,從而減少開�(guān)損耗�
  該MOSFET主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vdss)�400V
  連續(xù)漏極電流(Id)�4.4A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.1Ω
  柵極電荷(Qg)�35nC
  輸入電容(Ciss)�2790pF
  輸出電容(Coss)�230pF
  反向傳輸電容(Crss)�83pF
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�

特�

STD44N4LF6采用了MDmesh DM6技�(shù),優(yōu)化了單位面積的導(dǎo)通電阻性能。該器件具備以下特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保在高電流下具有較低的功��
  2. 高效的熱管理能力,能夠承受更高的工作溫度�
  3. 快速開�(guān)特�,減少開�(guān)過程中的能量損失�
  4. 具備較強(qiáng)的雪崩擊穿能力和抗靜電能�,增�(qiáng)了器件的可靠性�
  5. 小型化封裝選�(xiàng)支持高密度電路設(shè)�(jì)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保友��

�(yīng)�

STD44N4LF6廣泛用于多種電力電子�(yīng)用中,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開關(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)中的功率開關(guān)�
  3. 各種類型的電�(jī)�(qū)�(dòng)器,例如步�(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  6. LED照明系統(tǒng)的恒流或恒壓�(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

STD44N4LD6

std44n4lf6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

std44n4lf6參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STD44N4LF6 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C44A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 25V
  • 功率 - 最�50W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-11098-6