STD3N80K5是一種N溝道功率MOSFET,由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)制�。該器件采用TO-220封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)�。這種MOSFET因其高效的開(kāi)�(guān)特性和耐用性,在工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域中廣泛使用�
STD3N80K5的主要特�(diǎn)是其額定電壓�800V,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)具備快速的�(kāi)�(guān)速度,從而減少開(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�3.1A
�(dǎo)通電阻:7.9Ω
柵極電荷�25nC
總功耗:16W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
STD3N80K5采用了先�(jìn)的功率MOSFET技�(shù),提供以下主要特性:
1. 高耐壓能力,最高可�(dá)800V,適用于高壓電路�(huán)��
2. 較低的導(dǎo)通電阻(典型值為7.9Ω),有助于降低傳�(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,使得它在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
4. TO-220封裝形式便于散熱管理,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 工作溫度范圍廣,支持�-55℃到+150℃的極端溫度條件,適合多種工�(yè)�(chǎng)景�
STD3N80K5被廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)��
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路中的�(guān)鍵組��
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率處理模��
IRF840,
FDP066N08,
STP3NB80Z