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STD10NM60ND 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 15:22:16 查看 閱讀�26

STD10NM60ND 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用� MDAP3 封裝形式,具有出色的開關(guān)特性和�(dǎo)通性能,適用于多種電力電子�(yīng)用,例如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等。其耐壓值高�(dá) 600V,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)在設(shè)�(jì)�(shí)充分考慮了高電壓�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性,適合需要承受高電壓�(yīng)力的�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.1Ω(典型��25℃)
  柵極電荷�37nC(典型值)
  總功耗:240W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
  封裝形式:MDAP3

特�

STD10NM60ND 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力�600V 的額定電壓使其非常適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻:典型值為 1.1Ω,能夠減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損耗�
  3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)有助于實(shí)�(xiàn)高效的開�(guān)操作�
  4. 寬溫度范圍支持:能夠� -55� � +175� 的結(jié)溫范圍內(nèi)可靠�(yùn)行�
  5. 高可靠性:通過�(yán)格的�(zhì)量測(cè)試和篩選,確保長期使用的�(wěn)定性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

STD10NM60ND 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括 AC/DC �(zhuǎn)換器、DC/DC �(zhuǎn)換器��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制各種類型的電動(dòng)�(jī),如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用作保護(hù)和管理電路中的關(guān)鍵元件�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器等�
  5. 汽車電子系統(tǒng):適用于汽車�(nèi)的輔助電源模塊和其他相關(guān)功能模塊�
  6. �(fù)載切換與保護(hù)電路:提供高效的開斷能力和可靠的過流保護(hù)�

替代型號(hào)

STD11NM60, IRF840, BUZ11

std10nm60nd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

std10nm60nd參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STD10NM60ND View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列FDmesh™ II
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫歐 @ 4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds577pF @ 50V
  • 功率 - 最�70W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-12239-6