STC809JEUR-T 是意法半導體(STMicroelectronics)推出的一款高壓功率MOSFET,采用THT封裝形式。該器件適用于高電壓、高效率的開關電源和電機驅動等應用場�。其設計旨在提供低導通電阻的同時保持出色的開關性能,從而降低能耗并提升系統(tǒng)效率�
STC809JEUR-T 的主要特點包括極低的導通電阻、高雪崩耐量能力以及出色的熱�(wěn)定�,使其成為工�(yè)控制、消費電子及汽車電子應用的理想選擇�
最大漏源電壓:900V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:1.3Ω
柵極電荷�45nC
輸入電容�1200pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 高壓操作能力,支持高�900V的漏源電�,確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運��
2. 極低的導通電阻(1.3Ω),有效減少導通損�,提高整體效��
3. 出色的雪崩耐量能力,增強器件在異常條件下的可靠��
4. 快速開關速度,降低開關損�,適合高頻開關應用�
5. 寬工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適應極端環(huán)境需��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化設計��
STC809JEUR-T 廣泛應用于各種高壓開關場�,典型應用包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換模��
2. 電機驅動器中的逆變電路�
3. 工業(yè)自動化設備中的高壓開關控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電��
5. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率管理模塊�
6. 高效照明系統(tǒng)的驅動電��
STP80NF90, IRFP260N, FDP17N90