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STBB2J30-R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 8:47:22 查看 閱讀�26

STBB2J30-R 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高� MOSFET(金屬氧化物場效�(yīng)晶體管),專為高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,提供出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電�,廣泛適用于工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子�(lǐng)域。其封裝形式通常為TO-220或TO-247,便于散熱管理和高效安裝�
  這款MOSFET屬于N溝道類型,具有較高的雪崩擊穿能力和較低的柵極電荷,使其在高頻和高效率的電路中表現(xiàn)出色。它還具備反向恢�(fù)電荷小的特點(diǎn),適合用于同步整�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�160A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵源開啟電壓�4V
  總柵極電荷:180nC
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�

特�

STBB2J30-R 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高電流承載能力,支持高達(dá)160A的連續(xù)漏極電流�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ),有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. �(yōu)化的開關(guān)性能,得益于其低柵極電荷�(shè)�(jì),可�(shí)�(xiàn)快速切��
  4. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃到+175℃),確保在惡劣�(huán)境下的可靠��
  5. �(qiáng)大的雪崩擊穿能力,增�(qiáng)了器件的耐用性和安全��
  6. 小型化的反向恢復(fù)電荷,使得該器件非常適合高頻�(yīng)��

�(yīng)�

該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)�(shè)備中的大功率開關(guān)電源和逆變��
  2. 汽車行業(yè)中的電池管理系統(tǒng)和電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)�
  3. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
  4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
  5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  6. 照明�(lǐng)域的高亮度LED�(qū)�(dòng)��

替代型號(hào)

STB2J30-N3
  IRF3205
  FDP55N06L

stbb2j30-r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stbb2j30-r參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�5,000�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �27.43000剪切帶(CT�5,000 : �14.63537卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 功能升壓/降壓
  • 輸出配置
  • �?fù)?/span>降壓升壓
  • 輸出類型可編�
  • 輸出�(shù)1
  • 電壓 - 輸入(最小值)2.4V
  • 電壓 - 輸入(最大值)5.5V
  • 電壓 - 輸出(最小�/固定�3V�3.3V
  • 電壓 - 輸出(最大值)-
  • 電流 - 輸出800mA
  • 頻率 - 開關(guān)2.5MHz
  • 同步整流�
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼20-UFBGA,F(xiàn)CBGA
  • 供應(yīng)商器件封�20-倒裝芯片�2.1x1.8�