STBB2J30-R 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高� MOSFET(金屬氧化物場效�(yīng)晶體管),專為高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,提供出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電�,廣泛適用于工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子�(lǐng)域。其封裝形式通常為TO-220或TO-247,便于散熱管理和高效安裝�
這款MOSFET屬于N溝道類型,具有較高的雪崩擊穿能力和較低的柵極電荷,使其在高頻和高效率的電路中表現(xiàn)出色。它還具備反向恢�(fù)電荷小的特點(diǎn),適合用于同步整�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�160A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵源開啟電壓�4V
總柵極電荷:180nC
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
STBB2J30-R 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高電流承載能力,支持高達(dá)160A的連續(xù)漏極電流�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ),有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. �(yōu)化的開關(guān)性能,得益于其低柵極電荷�(shè)�(jì),可�(shí)�(xiàn)快速切��
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃到+175℃),確保在惡劣�(huán)境下的可靠��
5. �(qiáng)大的雪崩擊穿能力,增�(qiáng)了器件的耐用性和安全��
6. 小型化的反向恢復(fù)電荷,使得該器件非常適合高頻�(yīng)��
該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的大功率開關(guān)電源和逆變��
2. 汽車行業(yè)中的電池管理系統(tǒng)和電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)�
3. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
6. 照明�(lǐng)域的高亮度LED�(qū)�(dòng)��
STB2J30-N3
IRF3205
FDP55N06L