STB60NF06LT4是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TO-277A封裝,具有低導通電阻和高電流處理能力,適合用于開關電源、電機驅動、負載開關以及其他功率管理應�。其額定電壓�60V,持�(xù)漏極電流可達60A�
STB60NF06LT4的設計重點在于降低導通電阻(Rds(on)),以提高效率并減少�(fā)�。同�,它還具備快速開關特性和良好的熱性能,適用于要求高能效的應用場景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�60A
導通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�45nC(典型值)
總功耗:175W
工作結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-277A
STB60NF06LT4是一款高性能的功率MOSFET,主要特點包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高整體效率�
2. 高電流承載能�,使其能夠滿足大功率應用的需��
3. 快速開關速度,可以減少開關損耗并在高頻條件下表現(xiàn)良好�
4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持性能�
5. 采用TO-277A封裝,便于散熱設計和PCB布局�
此外,該器件還具有較低的柵極電荷和輸入電�,從而減少了驅動電路的復雜��
STB60NF06LT4廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和直流-直流轉換器中的功率開關�
2. 電機驅動和控制電路中的功率級元件�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關和保護電��
4. 工業(yè)設備中的功率轉換和管理模��
5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關�
由于其出色的電氣性能和可靠性,這款MOSFET特別適合需要高效率和高功率密度的設��
STB60NF06L, IRFZ44N, FDP5800