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STB36NF06LT4 發(fā)布時間 時間:2025/5/24 14:18:02 查看 閱讀:10

STB36NF06LT4 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用了Trench技術(shù)設(shè)計,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,適合用于高效能的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場合。
  STB36NF06LT4 的封裝形式為TO-220 Full Mold,具備良好的散熱性能,能夠在較高的電流和電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):36A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):9mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  總功耗(Ptot):175W
  結(jié)溫范圍:-55℃至150℃
  柵極電荷(Qg):35nC(典型值)
  反向恢復(fù)時間(trr):50ns

特性

STB36NF06LT4 具有以下顯著特性:
  1. 采用先進的Trench MOS技術(shù)制造,能夠有效降低導(dǎo)通電阻,提高效率。
  2. 支持高達36A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場景。
  3. 快速開關(guān)特性,可減少開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效能。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,支持長時間在高溫環(huán)境下運行。
  5. 提供過流保護和短路保護功能,增強了系統(tǒng)的可靠性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)規(guī)范要求。

應(yīng)用

STB36NF06LT4 廣泛應(yīng)用于需要高效功率控制的領(lǐng)域,具體包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計中的主開關(guān)元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為功率級開關(guān)使用。
  3. 各種電機驅(qū)動電路,如直流無刷電機或步進電機控制。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和繼電器替代方案。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。
  6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。

替代型號

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP5500
  IXTH38N06P2

stb36nf06lt4推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
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stb36nf06lt4參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STB36NF06L View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-6551-6