STB24N60M6 時(shí)間：2025/5/29 9:06:11 閱讀：9

STB24N60M6 是一款由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的 N 沃型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力等特性，適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。STB24N60M6 的額定電壓為 600V，能夠承受較大的漏源極電壓，同時(shí)其導(dǎo)通電阻較低，可有效減少功率損耗。
　　這款 MOSFET 主要應(yīng)用于需要高效能開關(guān)的場(chǎng)合，例如電源管理電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。由于其良好的熱特性和可靠性，STB24N60M6 在高性能要求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

最大漏源電壓：600V
　　連續(xù)漏電流：24A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：130mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　總電容（Ciss）：1800pF
　　最大功耗：360W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：TO-247

特性

STB24N60M6 具備以下顯著特性：
　　1. 高耐壓性能：其 600V 的漏源極擊穿電壓使其適用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：僅為 130mΩ，這有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗并提高效率。
　　3. 快速開關(guān)速度：較小的柵極電荷（75nC）保證了快速的開關(guān)動(dòng)作，從而減少了開關(guān)損耗。
　　4. 高電流處理能力：連續(xù)漏電流高達(dá) 24A，適合大電流負(fù)載應(yīng)用。
　　5. 穩(wěn)定性：能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常工作，適應(yīng)各種惡劣的工作條件。
　　6. 封裝可靠：采用 TO-247 封裝，提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。

應(yīng)用

STB24N60M6 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)元件。
　　2. 電機(jī)控制：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件，用于控制電機(jī)的速度和方向。
　　3. 逆變器：在太陽能逆變器和其他類型的逆變器中用作高效的功率開關(guān)。
　　4. 工業(yè)設(shè)備：如焊接設(shè)備、UPS 系統(tǒng)以及其他需要高電壓和大電流處理能力的設(shè)備。
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：包括筆記本電腦適配器、電視電源等對(duì)效率和穩(wěn)定性有較高要求的產(chǎn)品。