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STB19NF20 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 0:40:58 查看 閱讀�15

STB19NF20是意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用中�
  這款MOSFET以高擊穿電壓、低導通電阻和快速開�(guān)特性著�,適合在高頻條件下工作,同時能夠滿足嚴格的熱管理要求�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大連續(xù)漏極電流�19A
  導通電阻:75mΩ
  柵極電荷�26nC
  總電容:108pF
  開關(guān)時間:ton=43ns, toff=30ns
  功耗:315W
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

STB19NF20具備出色的電氣性能和可靠性:
  1. 高耐壓能力�200V的漏源擊穿電壓使其能夠在高壓�(huán)境中�(wěn)定運行�
  2. 低導通電阻:�75mΩ的RDS(on)確保了較低的傳導損�,提升了整體效率�
  3. 快速開�(guān):短開關(guān)時間和低柵極電荷使得其適用于高頻�(yīng)用,減少了開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性:支持高達175℃的�(jié)溫范�,適�(yīng)苛刻的工作環(huán)��
  5. 小巧封裝:TO-220封裝便于安裝與散熱設(shè)計,簡化了PCB布局�

�(yīng)�

STB19NF20廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  4. 電機�(qū)動電�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
  其高性能和可靠性使其成為上述應(yīng)用場景的理想選擇�

替代型號

IRFZ44N
  STP19NF06L
  FDP19N20
  IXFN20N20C

stb19nf20推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stb19nf20資料 更多>

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  • 描述
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stb19nf20參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STB19NF20 View All Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列MDmesh™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫歐 @ 7.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最�90W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-7941-6