STB19NF20是意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用中�
這款MOSFET以高擊穿電壓、低導通電阻和快速開�(guān)特性著�,適合在高頻條件下工作,同時能夠滿足嚴格的熱管理要求�
最大漏源電壓:200V
最大連續(xù)漏極電流�19A
導通電阻:75mΩ
柵極電荷�26nC
總電容:108pF
開關(guān)時間:ton=43ns, toff=30ns
功耗:315W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
STB19NF20具備出色的電氣性能和可靠性:
1. 高耐壓能力�200V的漏源擊穿電壓使其能夠在高壓�(huán)境中�(wěn)定運行�
2. 低導通電阻:�75mΩ的RDS(on)確保了較低的傳導損�,提升了整體效率�
3. 快速開�(guān):短開關(guān)時間和低柵極電荷使得其適用于高頻�(yīng)用,減少了開�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性:支持高達175℃的�(jié)溫范�,適�(yīng)苛刻的工作環(huán)��
5. 小巧封裝:TO-220封裝便于安裝與散熱設(shè)計,簡化了PCB布局�
STB19NF20廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 電機�(qū)動電�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
其高性能和可靠性使其成為上述應(yīng)用場景的理想選擇�
IRFZ44N
STP19NF06L
FDP19N20
IXFN20N20C