ST4G3234BJR是由意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,具有較高的電流處理能力和較低的導通電�,適用于多種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應用。這款MOSFET廣泛用于電源管理、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他需要高效能功率控制的應用場景�
ST4G3234BJR的設(shè)計重點在于提升效率和可靠�,其低導通電阻有助于減少功率損�,提高系�(tǒng)整體效能。此�,它具備良好的熱性能和電氣特性,使其能夠適應嚴苛的工作環(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1890pF
功耗:180W
工作溫度范圍�-55°C to 175°C
1. 低導通電阻設(shè)�,有效降低功率損耗�
2. 高電流承載能�,適合大功率應用�
3. TO-220封裝提供�(yōu)秀的散熱性能�
4. 良好的電氣特性和熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠運行�
5. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗并提升效率�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路中�
ST4G3234BJR主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動和控制電路中的功率級元件�
3. 各種工業(yè)�(shè)備中的負載切��
4. 大功率LED�(qū)動器和電池充電管理系�(tǒng)�
5. 逆變器和其他需要高效率功率�(zhuǎn)換的場合�
STP45NF06L, IRFZ44N