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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > ST1G3234BBJR

ST1G3234BBJR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 16:07:41 查看 閱讀�23

ST1G3234BBJR是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件屬于ST的MDmesh技�(shù)系列,采用DPAK7封裝形式。它主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效率和低功耗的電力電子�(shè)��
  這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠顯著提高電路效率并減少能量損�。其額定電壓�650V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�19A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�280mΩ
  柵極電荷(典型值)�25nC
  總電容(輸入電容):1040pF
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝�(lèi)型:DPAK7

特�

ST1G3234BBJR具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高電壓耐受能力,額定電壓達(dá)�650V,適用于多種工業(yè)�(yīng)用�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,僅280mΩ(典型值),有助于降低�(dǎo)通損耗�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,柵極電荷小�25nC,從而減少開(kāi)�(guān)損��
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),適合在高溫�(huán)境下�(yùn)�,最高結(jié)溫可�(dá)175°C�
  5. MDmesh技�(shù)帶來(lái)更高的單位面積電流密度和更優(yōu)的電氣性能�
  6. 封裝緊湊,便于PCB布局和安�,同�(shí)提供出色的散熱能��

�(yīng)�

ST1G3234BBJR廣泛用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. LED照明�(qū)�(dòng)器中的功率管理部��
  6. 充電器和適配器設(shè)�(jì)中的核心功率器件�
  由于其高可靠性和高效性能,ST1G3234BBJR成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高能效系�(tǒng)�(shí)的理想選��

替代型號(hào)

STP16NF65,
  IRFB7440TRPBF,
  FDP5700,
  IXTH18N65L,
  ST1G3234HBJR

st1g3234bbjr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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st1g3234bbjr參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件ST1G3234B View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�集成電路 (IC)
  • 家庭邏輯 - 變換�
  • 系列-
  • 邏輯功能變換�
  • 位數(shù)1
  • 輸入�(lèi)�電壓
  • 輸出�(lèi)�電壓
  • �(shù)�(jù)速率380Mbps
  • 通道�(shù)1
  • 輸出/通道�(shù)�1
  • 差分 - 輸入:輸出�(wú)/�(wú)
  • 傳輸延遲(最大)1ns
  • 電源電壓1.4 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼5-WFBGA,F(xiàn)CBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�5-覆晶
  • 包裝帶卷 (TR)