ST1G3234BBJR是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件屬于ST的MDmesh技�(shù)系列,采用DPAK7封裝形式。它主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效率和低功耗的電力電子�(shè)��
這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠顯著提高電路效率并減少能量損�。其額定電壓�650V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�19A
�(dǎo)通電阻(典型值)�280mΩ
柵極電荷(典型值)�25nC
總電容(輸入電容):1040pF
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝�(lèi)型:DPAK7
ST1G3234BBJR具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高電壓耐受能力,額定電壓達(dá)�650V,適用于多種工業(yè)�(yīng)用�
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅280mΩ(典型值),有助于降低�(dǎo)通損耗�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,柵極電荷小�25nC,從而減少開(kāi)�(guān)損��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),適合在高溫�(huán)境下�(yùn)�,最高結(jié)溫可�(dá)175°C�
5. MDmesh技�(shù)帶來(lái)更高的單位面積電流密度和更優(yōu)的電氣性能�
6. 封裝緊湊,便于PCB布局和安�,同�(shí)提供出色的散熱能��
ST1G3234BBJR廣泛用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. LED照明�(qū)�(dòng)器中的功率管理部��
6. 充電器和適配器設(shè)�(jì)中的核心功率器件�
由于其高可靠性和高效性能,ST1G3234BBJR成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高能效系�(tǒng)�(shí)的理想選��
STP16NF65,
IRFB7440TRPBF,
FDP5700,
IXTH18N65L,
ST1G3234HBJR