SSU70R1K1S 是一款基于超結(jié)技術(shù)的 MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由 Nexperia 公司生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。其封裝形式為 TO-Leadless (DSON),有助于提高散熱效率并減少寄生電感的影響。
SSU70R1K1S 主要應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池充電電路等。由于其優(yōu)秀的電氣特性和緊湊的設(shè)計(jì),該器件成為許多高性能功率電子設(shè)備的理想選擇。
型號(hào):SSU70R1K1S
類型:N 溝道 MOSFET
封裝:TO-Leadless (DSON)
Vds(漏源電壓):650 V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):70 mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):9.2 A
Qg(總柵極電荷):28 nC
EAS(雪崩能量):1.1 J
fsw(最大開關(guān)頻率):1 MHz
Vgs(柵源電壓):±20 V
Tj(工作結(jié)溫范圍):-55°C 至 +175°C
SSU70R1K1S 的主要特性包括:
1. 采用超結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)低 Rds(on),從而降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高 Vds 等級(jí)(650V)使其能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 快速開關(guān)速度和低 Qg 值確保了在高頻條件下仍能保持較低的開關(guān)損耗。
4. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化以支持更高的功率密度和更小的 PCB 占用面積。
5. 提供強(qiáng)大的雪崩能力和高可靠性,適合惡劣環(huán)境下的使用。
6. 工作溫度范圍寬廣,能夠適應(yīng)各種工業(yè)和汽車應(yīng)用場(chǎng)景。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求。
SSU70R1K1S 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,特別是無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),如電動(dòng)車充電和保護(hù)電路。
4. LED 驅(qū)動(dòng)器和照明控制。
5. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器模塊。
7. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部分。
SSM74R0K3, FDP5800, IRFZ44N