SSTE32882HLBAKG8 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
� MOSFET 的封裝形式為 DPAK (TO-263),支持表面貼裝技� (SMT),便于自動化生產(chǎn)和高效的散熱管理�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�58A
導通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�97nC
總電容:2640pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
SSTE32882HLBAKG8 提供了非常低的導通電阻,這使得它在大電流應用中表�(xiàn)出色,能夠顯著降低功率損��
此外,其高開關速度和優(yōu)化的柵極電荷設計有助于減少開關損�,從而提高整體效��
由于采用� DPAK 封裝,該器件具備良好的散熱能�,適用于高功率密度的設計�(huán)��
同時,其寬廣的工作溫度范圍確保了即使在極端條件下也能�(wěn)定運��
該功� MOSFET 常用于直流電機驅(qū)�、電源供應器中的同步整流、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽能逆變器以及各類工�(yè)控制設備��
在汽車電子領�,它也適合用作負載開關或電池保護電路的一部分�
另外,在消費類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器和游戲機電源中也有廣泛應��
SSTP328N06LH, IRF3205, FDP057AN