SSR2N60B是一款高性能的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適用于各種需要高效功率轉換和開關的應用場景�
SSR2N60B的主要特點是其較高的擊穿電壓(可�600V�,使其能夠適應高壓環(huán)境下的工作需求。同�,它在導通狀�(tài)下的低電阻特性可顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
柵極-源極電壓(Vgs):±20V
導通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:70W
結溫范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
1. 高擊穿電�,適合高壓應用環(huán)��
2. 極低的導通電�,有助于降低功率損耗并提升效率�
3. 快速開關特�,支持高頻操��
4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠承受較寬的工作溫度范��
5. 具備抗雪崩能�,可應對異常工作條件下的過載情況�
6. 封裝形式堅固耐用,易于散熱設��
SSR2N60B廣泛應用于多種高�、高效率的電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. 電機驅動器中的功率級控制�
3. 逆變器和變頻器的設計�
4. 各類工業(yè)控制系統(tǒng)的功率調節(jié)模塊�
5. LED照明驅動電路中的開關元件�
6. 電池保護及充電管理電路中的關鍵組��
SSR2N60C, IRF840, STP60NF06