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SSR2N60B 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:41:12 查看 閱讀�16

SSR2N60B是一款高性能的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適用于各種需要高效功率轉換和開關的應用場景�
  SSR2N60B的主要特點是其較高的擊穿電壓(可�600V�,使其能夠適應高壓環(huán)境下的工作需求。同�,它在導通狀�(tài)下的低電阻特性可顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4A
  柵極-源極電壓(Vgs):±20V
  導通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
  總功耗:70W
  結溫范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

1. 高擊穿電�,適合高壓應用環(huán)��
  2. 極低的導通電�,有助于降低功率損耗并提升效率�
  3. 快速開關特�,支持高頻操��
  4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠承受較寬的工作溫度范��
  5. 具備抗雪崩能�,可應對異常工作條件下的過載情況�
  6. 封裝形式堅固耐用,易于散熱設��

應用

SSR2N60B廣泛應用于多種高�、高效率的電子設備中,包括但不限于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
  2. 電機驅動器中的功率級控制�
  3. 逆變器和變頻器的設計�
  4. 各類工業(yè)控制系統(tǒng)的功率調節(jié)模塊�
  5. LED照明驅動電路中的開關元件�
  6. 電池保護及充電管理電路中的關鍵組��

替代型號

SSR2N60C, IRF840, STP60NF06

ssr2n60b推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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