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SSM6N7002BFU,LF 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 13:15:26 查看 閱讀�4

SSM6N7002BFU,LF 是一� N 沀� 場效應晶體管(MOSFET�,由富士電機(Fuji Electric)生�。該器件采用 LF 封裝,適用于高頻開關應用,廣泛用于電源管�、DC-DC 轉換器和電機驅動等領��
  這款 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠在高效率的電路設計中提供�(yōu)異性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:700V
  連續(xù)漏極電流�6A
  導通電阻:1.4Ω
  柵極電荷�15nC
  總電容:380pF
  功耗:9W

特�

SSM6N7002BFU,LF 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,支持高� 700V 的漏源電壓,適合高壓應用場景�
  2. 極低的導通電�,僅� 1.4Ω,有助于降低功率損��
  3. 快速開關速度,柵極電荷低� 15nC,提高工作效��
  4. 小型 LF 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代化電子產品需��
  這些特點使其成為高效率電源轉換和控制應用的理想選��

應用

SSM6N7002BFU,LF 可應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電機驅動控制�
  4. PFC(功率因�(shù)校正)電�
  5. 工業(yè)自動化設備中的電源管�
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設�
  由于其出色的電氣性能和封裝優(yōu)�,該 MOSFET 在需要高效功率處理和空間�(yōu)化的應用中表�(xiàn)卓越�

替代型號

SSM6N7002BFU

ssm6n7002bfu,lf推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ssm6n7002bfu,lf參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.1 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds17pF @ 25V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�US6�2.0x2.1�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SSM6N7002BFULFTR