SSM6J501NU,LF(T) 是一款高性能的射� (RF) 功率晶體�,專為高頻應(yīng)用而設(shè)�(jì)。它采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,適用于無線通信、雷�(dá)和微波設(shè)備等高頻率和高功率場合。該器件具有卓越的增益性能和線性度,能夠在高頻段提供穩(wěn)定的輸出功率�
其封裝形式為 LF(T),這種封裝方式能夠有效降低寄生電感和電容的影響,從而提升高頻性能�
最大集電極-�(fā)射極電壓�32V
最大集電極電流�1.8A
典型輸出功率�4W
頻率范圍�1GHz � 3GHz
增益�12dB
封裝形式:LF(T)
工作溫度范圍�-40� � +125�
SSM6J501NU,LF(T) 具有出色的高頻特性和�(wěn)定性。該器件采用最新的硅雙極性晶體管技�(shù),能夠在高頻條件下保持較高的功率效率。此�,它的線性度表現(xiàn)�(yōu)�,非常適合需要低失真和高保真信號傳輸?shù)�?yīng)用場景�
由于采用� LF(T) 封裝,SSM6J501NU,LF(T) 在高頻工作時(shí)表現(xiàn)出更低的寄生效應(yīng),使得整體性能更加�(wěn)�。同�(shí),其寬廣的工作溫度范圍使其可以適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
SSM6J501NU,LF(T) 廣泛�(yīng)用于射頻功率放大器中,特別是在無線通信系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、雷�(dá)系統(tǒng)以及測試與測量設(shè)備等�(lǐng)�。其高輸出功率和良好的線性度使其成為高頻功率放大的理想選��
此外,該器件還適用于工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 頻段的設(shè)�,如微波爐、工�(yè)加熱裝置�。在這些�(yīng)用中,SSM6J501NU,LF(T) 可以提供可靠且高效的功率輸出�
SSM6J500NU,LF(T), MRF7S4001N