SSM3K01T是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為低電壓�(yīng)用而設(shè)�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,使其非常適合用于便攜式�(shè)�、電池供電系�(tǒng)以及需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景。其封裝形式通常為SOT-23,有助于節(jié)省PCB空間�
最大漏源電壓:6V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�70mΩ
柵極電荷�4nC
工作溫度范圍�-55℃至150�
SSM3K01T采用了先進的制造工�,確保了其具備以下特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少功率損耗�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 小尺寸SOT-23封裝,便于在緊湊型設(shè)計中使用�
4. 高可靠�,能夠承受較寬的工作溫度范圍�
5. 柵極�(qū)動要求低,易于與邏輯電路兼容�
SSM3K01T廣泛�(yīng)用于各種低電�、低功耗的電子系統(tǒng)�,具體包括:
1. 電源管理模塊中的負載開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
3. 電池保護電路�
4. 便攜式電子設(shè)備中的電源開�(guān)�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的小型化功率控制解決方案�
AO3400A
IRLML6402
SI2302DS