SS26T3G是一種高性能的MOSFET晶體管,主要應用于開關和放大電路�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度以及良好的熱�(wěn)定性等�(yōu)�。SS26T3G通常被用于電源管�、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他需要高效能功率開關的應用場景�
SS26T3G為N溝道增強型場效應晶體�,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的電流流動,能夠提供高效的電流傳輸和較低的能量損��
類型:N溝道增強型MOSFET
耐壓(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5V~3.5V
導通電�(Rds(on))�0.07Ω(典型�,Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�890mW
工作溫度范圍�-55℃~150�
SS26T3G具備以下主要特性:
1. 高效的開關性能,適用于高頻應用�(huán)��
2. 極低的導通電阻Rds(on),有助于降低能��
3. 較寬的工作溫度范�,適應各種惡劣環(huán)境條��
4. 快速的開關速度,減少開關損耗�
5. �(wěn)定的電氣參數(shù),在長時間使用中保持一致性能�
6. 小型封裝設計,適合空間受限的應用場合�
這些特點使得SS26T3G成為許多電力電子系統(tǒng)中的理想選擇�
SS26T3G廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC轉換器中的同步整流開關�
3. 電池保護電路中的負載開關�
4. 各類電機驅動應用中的功率控制�
5. 過流保護及短路保護電��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配與控制�
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,SS26T3G在工�(yè)自動�、消費電子以及汽車電子等領域得到了廣泛應用�
SSM3J383R, IRLML6402, FDN337N