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SS26T3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 10:08:44 查看 閱讀�32

SS26T3G是一種高性能的MOSFET晶體管,主要應用于開關和放大電路�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度以及良好的熱�(wěn)定性等�(yōu)�。SS26T3G通常被用于電源管�、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他需要高效能功率開關的應用場景�
  SS26T3G為N溝道增強型場效應晶體�,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的電流流動,能夠提供高效的電流傳輸和較低的能量損��

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  耐壓(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
  柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5V~3.5V
  導通電�(Rds(on))�0.07Ω(典型�,Vgs=10V時)
  總功�(Ptot)�890mW
  工作溫度范圍�-55℃~150�

特�

SS26T3G具備以下主要特性:
  1. 高效的開關性能,適用于高頻應用�(huán)��
  2. 極低的導通電阻Rds(on),有助于降低能��
  3. 較寬的工作溫度范�,適應各種惡劣環(huán)境條��
  4. 快速的開關速度,減少開關損耗�
  5. �(wěn)定的電氣參數(shù),在長時間使用中保持一致性能�
  6. 小型封裝設計,適合空間受限的應用場合�
  這些特點使得SS26T3G成為許多電力電子系統(tǒng)中的理想選擇�

應用

SS26T3G廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
  2. DC-DC轉換器中的同步整流開關�
  3. 電池保護電路中的負載開關�
  4. 各類電機驅動應用中的功率控制�
  5. 過流保護及短路保護電��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配與控制�
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,SS26T3G在工�(yè)自動�、消費電子以及汽車電子等領域得到了廣泛應用�

替代型號

SSM3J383R, IRLML6402, FDN337N

ss26t3g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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ss26t3g資料 更多>

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ss26t3g參數(shù)

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)60V
  • 電流 - 平均整流 (Io)2A
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)630mV @ 2A
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)-
  • 電流 - � Vr 時反向漏�200µA @ 60V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 供應商設備封�SMB
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱SS26T3GOSDKR