SS05100FL是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等場(chǎng)景。該器件采用TO-252封裝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠在高效率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
該MOSFET的設(shè)計(jì)使其能夠承受較高的漏源電壓,并且在高溫環(huán)境下仍然保持穩(wěn)定的性能。其低柵極電荷特性使得它特別適合高頻應(yīng)用,同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:5A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.4Ω(典型值,Vgs=10V時(shí))
柵極閾值電壓:2V~4V
總柵極電荷:6nC
開關(guān)時(shí)間:ton=18ns,toff=35ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃~150℃
SS05100FL具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓能力,能夠適應(yīng)高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
3. 快速的開關(guān)速度,支持高頻電路設(shè)計(jì)。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
5. 小型化封裝,便于PCB布局和空間優(yōu)化。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
SS05100FL的應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 直流/直流轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
3. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
4. 各種負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. LED驅(qū)動(dòng)電路中的電流調(diào)節(jié)組件。
6. 充電器和適配器中的高效開關(guān)元件。
IRF540N
STP55NF06L
FQP50N06L