SQJA82EP-T1_GE3 是一款高性能的工�(yè)級電子元器件,屬� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)系列。該型號廣泛應用于開關電�、電機驅動、負載切換等領域,能夠提供高效率和低功耗的解決方案。其封裝形式� TO-252,具有良好的散熱性能和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
導通電阻:2.5mΩ
工作溫度范圍�-55℃~175�
封裝形式:TO-252
1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損��
2. 高電流承載能力,適合大功率應��
3. 快速開關速度,降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于惡劣的工作環(huán)��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
6. 提供強大� ESD(靜電放電)保護功能,增強器件的抗干擾能��
SQJA82EP_T1, SQJA82EP-T1GE3, IRF840, FQP50N06L