SQJA37EP-T1-GE3 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,適用于高頻和高效率的電力電子應(yīng)�。該器件采用增強� GaN 晶體管技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,可顯著提升電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)的性能和效��
該型號是專為工業(yè)和汽車應(yīng)用設(shè)計的�(chǎn)�,封裝形式為表面貼裝類型,適合自動化生產(chǎn),并且具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:650V
持續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷�80nC
開關(guān)頻率:超�2MHz
工作溫度范圍�-40℃至+150�
封裝類型:TO-LEADLESS
SQJA37EP-T1-GE3 的核心優(yōu)勢在于其卓越的高頻性能和高能效表現(xiàn)。相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,該 GaN 器件擁有更低的寄生電�、更小的�(dǎo)通損耗以及更快的開關(guān)速度,這使得它非常適合用于硬開�(guān)或軟開關(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)��
此外,該芯片還具有出色的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的電氣特�。同�,由于采用了先進的封裝工藝,進一步增強了�(chǎn)品的可靠性和抗電磁干擾能��
GaN 技�(shù)的應(yīng)用不僅縮小了整體電路尺寸,還提升了功率密�,這對于體積受限的�(shè)計尤為重�。在實際使用過程�,工程師可以利用這些特點來優(yōu)化系�(tǒng)架構(gòu)并實�(xiàn)更高的能源利用率�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種高性能場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源(DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動汽車車載充電機(OBC�
3. 太陽能逆變器中的高頻隔離驅(qū)�
4. 快速充電器(USB-PD 充電器等�
5. 工業(yè)� SMPS 和電機驅(qū)動器
通過�(jié)合其高頻特性和高效率,SQJA37EP-T1-GE3 可以幫助�(shè)計者降� BOM 成本,減少磁性元件的體積,同時提高整個系�(tǒng)的功率處理能��
SQJB42EP-T1-GE3
SQJC50EP-T1-GE3
SQJD37EP-T1-GE3